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图3BST/Gr/Ga异质结构的超导近邻效应©2023SpringerNature(a)两间隙隧道示意图及相应的态密度图，力保(b)特定温度下在器件dI/dV 与 Vdc 曲线，力保(c)特定温度下在器件02T-5QL 中接触点1和5的获取的dI/dV 与 Vdc 曲线，(d)c基于双间隙BTK模型对(c)图0.32k的拟合结果，(e)BTK模型拟合结果中获取的 ΔS and ΔI 随温度变化曲线，(f)4个不同结G15–G45获取的dI/dV 与 Vdc 曲线。在拓扑绝缘体（TI）和SC的混合系统中就能实现拓扑超导性，心正行然而，制备高质量，可规模化的材料体系仍然十分困难。在潜在的可规模化的材料平台中实现拓扑超导的主要方法是利用混合系统的超导近邻效应，式运该混合系统一般由s波超导体(SC)和具有强自旋轨道耦合的一维(1D)或二维(2D)半导体组成。

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第一作者为CequnLi，电挥调通讯作者为JunZhu教授。

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